NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
Bipolar BJT Transistor NPN 30V 500mA 500mW Through Hole TO-18 TO-206AA
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
极性 NPN
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18
封装 TO-18
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
JANTX2N718A Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
JAN2N718A 美高森美 | 完全替代 | JANTX2N718A和JAN2N718A的区别 |
JANTXV2N718A 美高森美 | 完全替代 | JANTX2N718A和JANTXV2N718A的区别 |
2N718A 美高森美 | 类似代替 | JANTX2N718A和2N718A的区别 |