JANS2N3637L

JANS2N3637L图片1
JANS2N3637L中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买JANS2N3637L
型号: JANS2N3637L
制造商: Microsemi 美高森美
描述:PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
替代型号JANS2N3637L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANS2N3637L

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JANTX2N3637

美高森美

完全替代

JANS2N3637L和JANTX2N3637的区别

2N3636

Continental Device

功能相似

JANS2N3637L和2N3636的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台