耗散功率 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-5
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
数据手册
JANS2N3637L
Microsemi 美高森美
当前型号
JANTX2N3637
美高森美
完全替代
2N3636
Continental Device
功能相似