JANS2N3019

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JANS2N3019图片3
JANS2N3019概述

低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

This 2N3019 NPN leaded silicon transistor device is military qualified for high-reliability applications.   also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Tray


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Tray


JANS2N3019中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 50 @500mA, 10V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JANS2N3019
型号: JANS2N3019
描述:低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
替代型号JANS2N3019
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANS2N3019

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JANTX2N3019

美高森美

完全替代

JANS2N3019和JANTX2N3019的区别

JAN2N3019

美高森美

完全替代

JANS2N3019和JAN2N3019的区别

JANTXV2N3019

美高森美

完全替代

JANS2N3019和JANTXV2N3019的区别

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