JAN2N5660参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N5660概述

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/454

艾睿:
Trans GP BJT NPN 200V 2A 2000mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray

Verical:
Trans GP BJT NPN 200V 2A 2000mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray

JAN2N5660中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 200 V

集电极最大允许电流 2A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买JAN2N5660

型号： JAN2N5660

制造商： Microsemi 美高森美

描述：NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N5660