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JAN2N5661概述

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/454

艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 2A 3-Pin2+Tab TO-66

JAN2N5661中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 2A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N5661

型号： JAN2N5661

制造商： Microsemi 美高森美

描述：NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N5661

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
JAN2N5661 Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
JANTX2N5661 美高森美	完全替代	JAN2N5661和JANTX2N5661的区别
JANTXV2N5661 美高森美	完全替代	JAN2N5661和JANTXV2N5661的区别
2N5661 美高森美	功能相似	JAN2N5661和2N5661的区别