JAN2N6676参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N6676概述

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 300V 15A 6W Through Hole TO-204AA TO-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 15A 3-Pin2+Tab TO-3

JAN2N6676中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 300 V

最小电流放大倍数hFE 15 @1A, 3V

额定功率Max 6 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-204

外形尺寸

封装 TO-204

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

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型号： JAN2N6676

描述：NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N6676