JAN2N6675

JAN2N6675概述

Trans GP BJT NPN 400V 15A 3Pin2+Tab TO-3

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/537


艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 15A 3-Pin2+Tab TO-3


JAN2N6675中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 400 V

最小电流放大倍数hFE 8 @10A, 2V

额定功率Max 6 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-204

外形尺寸

封装 TO-204

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买JAN2N6675
型号: JAN2N6675
描述:Trans GP BJT NPN 400V 15A 3Pin2+Tab TO-3
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