击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 2V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
引脚数 4
封装 TO-111-4
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
数据手册
JANTX2N3996
Microsemi 美高森美
当前型号
2N3996
美高森美
功能相似
JAN2N3996
Solitron Devices