JANTXV2N5663参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N5663概述

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/454

艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 2A 3-Pin TO-5

Verical:
Trans GP BJT NPN 300V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag

JANTXV2N5663中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 25 @500mA, 5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTXV2N5663

型号： JANTXV2N5663

描述：NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JANTXV2N5663