JANS2N3867参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANS2N3867概述

PNP硅低功率晶体管 PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 40V 3A 1W Through Hole TO-5

艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1000mW 3-Pin TO-5 Tray

Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 0.03A 1000mW 3-Pin TO-5 Tray

JANS2N3867中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

最小电流放大倍数hFE 40 @1.5A, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANS2N3867

型号： JANS2N3867

描述：PNP硅低功率晶体管 PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

替代型号JANS2N3867