JAN2N718A参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N718A概述

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 30V 500mA 500mW Through Hole TO-18 TO-206AA

艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 500mW 3-Pin TO-18 Bag

Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 500mW 3-Pin TO-18 Bag

JAN2N718A中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N718A

型号： JAN2N718A

制造商： Microsemi 美高森美

描述：NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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