JANTXV2N3997

JANTXV2N3997图片1
JANTXV2N3997概述

NPN电源开关硅晶体管 NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 10A 2W Chassis, Stud Mount TO-111


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 5A 4-Pin TO-111


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 5A 4-Pin TO-111


JANTXV2N3997中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 80 @1A, 2V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

引脚数 4

封装 TO-111-4

外形尺寸

封装 TO-111-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JANTXV2N3997
型号: JANTXV2N3997
描述:NPN电源开关硅晶体管 NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR
替代型号JANTXV2N3997
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