PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR
Bipolar BJT Transistor NPN 80V 5A 2W Stud Mount TO-111
艾睿: Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-59
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 2V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
引脚数 3
封装 TO-111-4
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
数据手册