JANS2N2920

JANS2N2920图片1
JANS2N2920图片2
JANS2N2920图片3
JANS2N2920概述

Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6Pin TO-78

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 350 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

JANS2N2920中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.35 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 300 @1mA, 5V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 6

封装 TO-206

外形尺寸

封装 TO-206

物理参数

材质 Silicon

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANS2N2920
型号: JANS2N2920
描述:Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6Pin TO-78
替代型号JANS2N2920
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANS2N2920

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JANTX2N2920

美高森美

完全替代

JANS2N2920和JANTX2N2920的区别

JANTX2N2920L

美高森美

完全替代

JANS2N2920和JANTX2N2920L的区别

JANTXV2N2920

美高森美

完全替代

JANS2N2920和JANTXV2N2920的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台