JAN2N1613L参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

JAN2N1613L中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

其他

产品生命周期 Active

数据手册

在线购买JAN2N1613L

型号： JAN2N1613L

制造商： Microsemi 美高森美

描述：NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N1613L

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
JAN2N1613L Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
2N1613L 美高森美	完全替代	JAN2N1613L和2N1613L的区别
JANTX2N1613L 美高森美	完全替代	JAN2N1613L和JANTX2N1613L的区别
JANTX2N1613 美高森美	类似代替	JAN2N1613L和JANTX2N1613的区别