NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
Bipolar BJT Transistor NPN 300V 2A 2.5W Through Hole TO-66 TO-213AA
艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 2A 2500mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray
Newark:
# MICROSEMI JANTX2N3585 TRANSISTOR
极性 NPN
耗散功率 2500 mW
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 25 @1A, 10V
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-213
封装 TO-213
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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JANTX2N3585 Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5038G 安森美 | 功能相似 | JANTX2N3585和2N5038G的区别 |
2N3771G 安森美 | 功能相似 | JANTX2N3585和2N3771G的区别 |
2N5302G 安森美 | 功能相似 | JANTX2N3585和2N5302G的区别 |