JANTX2N3763

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JANTX2N3763概述

PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Use this versatile PNP GP BJT from to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

JANTX2N3763中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 20 @1A, 1.5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JANTX2N3763
型号: JANTX2N3763
描述:PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
替代型号JANTX2N3763
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANTX2N3763

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

2N3763

美高森美

完全替代

JANTX2N3763和2N3763的区别

JANTX2N3764

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功能相似

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