JAN2N5686

JAN2N5686图片1
JAN2N5686中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 50A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N5686
型号: JAN2N5686
制造商: Microsemi 美高森美
描述:NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号JAN2N5686
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JAN2N5686

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JANTX2N5686

美高森美

完全替代

JAN2N5686和JANTX2N5686的区别

JANTXV2N5686

美高森美

完全替代

JAN2N5686和JANTXV2N5686的区别

2N5686G

安森美

功能相似

JAN2N5686和2N5686G的区别

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