JANTX2N3743参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTX2N3743概述

每PNP高压硅晶体管合格MIL -PRF- 397分之19500 PNP HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/397

Bipolar BJT Transistor PNP 300V 200mA 1W Through Hole TO-39 TO-205AD

艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 0.2A 3-Pin TO-39

Verical:
Trans GP BJT PNP 300V 0.2A 3-Pin TO-39

JANTX2N3743中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 50 @30mA, 10V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTX2N3743

型号： JANTX2N3743

描述：每PNP高压硅晶体管合格MIL -PRF- 397分之19500 PNP HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/397

替代型号JANTX2N3743