PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
Bipolar BJT Transistor PNP 225V 2A 3W Through Hole TO-66 TO-213AA
贸泽:
Darlington Transistors Power BJT
艾睿:
Trans GP BJT PNP 225V 2A 3000mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray
极性 PNP
耗散功率 3000 mW
击穿电压集电极-发射极 225 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 30 @1A, 5V
额定功率Max 3 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-213
封装 TO-213
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
JANTX2N6211 Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
TIP42CTU 飞兆/仙童 | 功能相似 | JANTX2N6211和TIP42CTU的区别 |
JAN2N6211 美高森美 | 功能相似 | JANTX2N6211和JAN2N6211的区别 |
JANTX2N6212 美高森美 | 功能相似 | JANTX2N6211和JANTX2N6212的区别 |