JAN2N1482

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JAN2N1482概述

TO-5 NPN 55V 1.5A

This family of 2N1479 through 2N1482 mediuThis family of 2N1479 through 2N1482 medium-power, planar transistors is military qualified to the JAN level for high-reliability applications.m-power, planar transistors is military qualified to the JAN level for high-reliability applications.


艾睿:
Trans GP BJT NPN 55V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag


Verical:
Trans GP BJT NPN 55V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag


JAN2N1482中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 55 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 35 @200mA, 4V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JAN2N1482
型号: JAN2N1482
描述:TO-5 NPN 55V 1.5A
替代型号JAN2N1482
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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