JANTX2N1711S

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JANTX2N1711S概述

TO-5 NPN 30V 0.5A

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 800 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C.

JANTX2N1711S中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JANTX2N1711S
型号: JANTX2N1711S
描述:TO-5 NPN 30V 0.5A
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JANTX2N1711S

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JANTX2N1711

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JANTX2N1711S和JANTX2N1711的区别

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JANTX2N1711S和2N1711S的区别

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