JANTXV2N5661

JANTXV2N5661概述

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/454


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT


艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 2A 2000mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray


JANTXV2N5661中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 2A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买JANTXV2N5661
型号: JANTXV2N5661
制造商: Microsemi 美高森美
描述:NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号JANTXV2N5661
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANTXV2N5661

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JANTX2N5661

美高森美

完全替代

JANTXV2N5661和JANTX2N5661的区别

JAN2N5661

美高森美

完全替代

JANTXV2N5661和JAN2N5661的区别

2N5661

美高森美

功能相似

JANTXV2N5661和2N5661的区别

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