JAN2N5039参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

JAN2N5039图片1

JAN2N5039中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 140 W

击穿电压集电极-发射极 75 V

集电极最大允许电流 20A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 140000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买JAN2N5039

型号： JAN2N5039

制造商： Microsemi 美高森美

描述：NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N5039

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
JAN2N5039 Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
2N3442G 安森美	功能相似	JAN2N5039和2N3442G的区别
2N5038G 安森美	功能相似	JAN2N5039和2N5038G的区别
2N3771G 安森美	功能相似	JAN2N5039和2N3771G的区别