JAN2N1485

JAN2N1485图片1
JAN2N1485概述

NPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR

This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage.


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1750mW 3-Pin TO-8 Tray


JAN2N1485中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 35 @750mA, 4V

额定功率Max 1.75 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-8

外形尺寸

封装 TO-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N1485
型号: JAN2N1485
描述:NPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR
替代型号JAN2N1485
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JAN2N1485

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JANTX2N1485

美高森美

完全替代

JAN2N1485和JANTX2N1485的区别

2N1485

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JAN2N1485和2N1485的区别

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