JAN2N2432参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N2432概述

TO-18 NPN 30V 0.1A

Bipolar BJT Transistor NPN 30V 100mA 360mW Through Hole TO-18 TO-206AA

艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin TO-18 Bag

Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin TO-18 Bag

JAN2N2432中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 80 @1mA, 5V

额定功率Max 360 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N2432

型号： JAN2N2432

描述：TO-18 NPN 30V 0.1A

替代型号JAN2N2432