JAN2N6213

JAN2N6213中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 2A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买JAN2N6213
型号: JAN2N6213
制造商: Microsemi 美高森美
描述:PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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