JAN2N1711参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N1711概述

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 30V 500mA 800mW Through Hole TO-5

艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 800mW 3-Pin TO-5 Tray

Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 800mW 3-Pin TO-5 Tray

JAN2N1711中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N1711

型号： JAN2N1711

描述：NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N1711