JANTX2N3765

JANTX2N3765图片1
JANTX2N3765概述

PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

If you require a general purpose BJT that can handle high voltages, then the PNP BJT, developed by , is for you. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 200 °C.

JANTX2N3765中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1.5A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-46

外形尺寸

封装 TO-46

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买JANTX2N3765
型号: JANTX2N3765
制造商: Microsemi 美高森美
描述:PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
替代型号JANTX2N3765
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