JANTXV2N3762L

JANTXV2N3762L中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 30

最大电流放大倍数hFE 120

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5-3

外形尺寸

封装 TO-5-3

其他

产品生命周期 Active

数据手册

在线购买JANTXV2N3762L
型号: JANTXV2N3762L
制造商: Microsemi 美高森美
描述:PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
替代型号JANTXV2N3762L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANTXV2N3762L

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

2N3762

美高森美

完全替代

JANTXV2N3762L和2N3762的区别

JAN2N3762L

美高森美

类似代替

JANTXV2N3762L和JAN2N3762L的区别

JANTX2N3762L

美高森美

类似代替

JANTXV2N3762L和JANTX2N3762L的区别

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