JANTX2N3762参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTX2N3762概述

PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 40V 1.5A 1W Through Hole TO-39

艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 40V 1.5A 3-Pin TO-39

JANTX2N3762中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 30 @1A, 1.5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTX2N3762

型号： JANTX2N3762

描述：PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

替代型号JANTX2N3762