TO-66 NPN 300V 1A
Bipolar BJT Transistor NPN 300V 1A 20W Through Hole TO-66
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 1A 20000mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray
Verical:
Trans GP BJT NPN 300V 1A 20000mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray
极性 NPN
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 25 @250mA, 10V
额定功率Max 20 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-66
封装 TO-66
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
JANTXV2N3739 Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N3739 美高森美 | 完全替代 | JANTXV2N3739和2N3739的区别 |
NTE124 NTE Electronics | 类似代替 | JANTXV2N3739和NTE124的区别 |
2N3738 Semelab | 功能相似 | JANTXV2N3739和2N3738的区别 |