JAN2N6353参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N6353概述

NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

This high speed NPN transistor is military qualified up to the JANTXV level.

贸泽:
Darlington Transistors Power BJT

艾睿:
Trans Darlington NPN 150V 5A 2000mW 4-Pin3+Tab TO-213AA Tray

Verical:
Trans Darlington NPN 150V 5A 2000mW 4-Pin3+Tab TO-66 Tray

JAN2N6353中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 5V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-213

外形尺寸

封装 TO-213

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JAN2N6353

型号： JAN2N6353

描述：NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N6353