JANTXV2N3791参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N3791概述

PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 10A 5W Through Hole TO-3 TO-204AA

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin2+Tab TO-3

JANTXV2N3791中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 30 @3A, 2V

额定功率Max 5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTXV2N3791

型号： JANTXV2N3791

描述：PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JANTXV2N3791