JANTXV2N4931参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N4931概述

TO-39 PNP 250V 0.2A

Bipolar BJT Transistor PNP 250V 200mA 1W Through Hole TO-39 TO-205AD

艾睿:
Trans GP BJT PNP 250V 0.2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

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Trans GP BJT PNP 250V 0.2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

JANTXV2N4931中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 50 @30mA, 10V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买JANTXV2N4931

型号： JANTXV2N4931

制造商： Microsemi 美高森美

描述：TO-39 PNP 250V 0.2A

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