JAN2N6212

JAN2N6212中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 2A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买JAN2N6212
型号: JAN2N6212
制造商: Microsemi 美高森美
描述:PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号JAN2N6212
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JAN2N6212

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JAN2N6211

美高森美

类似代替

JAN2N6212和JAN2N6211的区别

TIP42CTU

飞兆/仙童

功能相似

JAN2N6212和TIP42CTU的区别

2N6246

美高森美

功能相似

JAN2N6212和2N6246的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台