NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
Bipolar BJT Transistor NPN 300V 2A 2.5W Through Hole TO-66 TO-213AA
艾睿: Trans GP BJT NPN 300V 2A 2500mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray
Verical: Trans GP BJT NPN 300V 2A 2500mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray
极性 NPN
耗散功率 2.5 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 25 @1A, 10V
额定功率Max 2.5 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-66
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
数据手册