JAN2N6211参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N6211概述

PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 225V 2A 3W Through Hole TO-66 TO-213AA

艾睿:
Trans GP BJT PNP 225V 2A 3000mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray

Verical:
Trans GP BJT PNP 225V 2A 3000mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray

JAN2N6211中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 3 W

击穿电压集电极-发射极 225 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 30 @1A, 5V

额定功率Max 3 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： JAN2N6211

描述：PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N6211