JANTXV2N6351参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N6351概述

NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

This high speed NPN transistor is military qualified up to the JANTXV level. This TO-33 leaded top-hat has three isolated terminals with terminal four, the collector terminal, tied to the case.

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

艾睿:
Trans Darlington NPN 150V 5A 1000mW 4-Pin TO-33 Box

JANTXV2N6351中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 1000 mW

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-33

外形尺寸

封装 TO-33

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JANTXV2N6351

型号： JANTXV2N6351

制造商： Microsemi 美高森美

描述：NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

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替代型号JANTXV2N6351

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