JANTXV2N3763参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N3763概述

PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 1.5A 1W Through Hole TO-39 TO-205AD

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

JANTXV2N3763中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 20 @1A, 1.5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JANTXV2N3763

型号： JANTXV2N3763

描述：PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

替代型号JANTXV2N3763

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
JANTXV2N3763 Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
2N3763 美高森美	完全替代	JANTXV2N3763和2N3763的区别
2N3763LEADFREE Central Semiconductor	功能相似	JANTXV2N3763和2N3763LEADFREE的区别
2N3764 Central Semiconductor	功能相似	JANTXV2N3763和2N3764的区别