JANS2N5415参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANS2N5415概述

TO-5 PNP 200V 1A

Bipolar BJT Transistor PNP 200V 1A 750mW Through Hole TO-5

艾睿:
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Tray

Verical:
Trans GP BJT PNP 200V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Tray

JANS2N5415中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 0.75 W

击穿电压集电极-发射极 200 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V

额定功率Max 750 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： JANS2N5415

描述：TO-5 PNP 200V 1A

替代型号JANS2N5415