JANTXV2N2432A参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N2432A概述

TO-18 NPN 45V 0.1A

Thanks to , your circuit can handle high levels of voltage using the NPN general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 18 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 18 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 175 °C.

JANTXV2N2432A中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 80 @1mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JANTXV2N2432A

型号： JANTXV2N2432A

制造商： Microsemi 美高森美

描述：TO-18 NPN 45V 0.1A

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