JANTXV2N5303

JANTXV2N5303中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 20A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买JANTXV2N5303
型号: JANTXV2N5303
制造商: Microsemi 美高森美
描述:NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号JANTXV2N5303
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANTXV2N5303

Microsemi 美高森美

当前型号

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