JANTXV2N7373参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N7373概述

TO-254 NPN 80V 5A

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 5A 4W Through Hole TO-254AA

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 5A 4000mW 3-Pin3+Tab TO-254

Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 5A 4000mW 3-Pin3+Tab TO-254

JANTXV2N7373中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 4 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 70 @2.5A, 5V

额定功率Max 4 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 4000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-254-3

外形尺寸

封装 TO-254-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTXV2N7373

型号： JANTXV2N7373

描述：TO-254 NPN 80V 5A

替代型号JANTXV2N7373