JANTXV2N5666U3参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N5666U3概述

NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 200V 5A 1.2W Surface Mount U3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 200V 5A 1500mW 3-Pin SMD-0.5 Tray

Verical:
Trans GP BJT NPN 200V 5A 1500mW 3-Pin SMD-0.5 Tray

JANTXV2N5666U3中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 200 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 5V

额定功率Max 1.2 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SMD-0

外形尺寸

封装 SMD-0

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTXV2N5666U3

型号： JANTXV2N5666U3

描述：NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR