JANS2N5665参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANS2N5665概述

NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 300V 5A 2.5W Through Hole TO-66 TO-213AA

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 5A 2500mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray

Verical:
Trans GP BJT NPN 300V 5A 2500mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray

JANS2N5665中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 2.5 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 25 @1A, 5V

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JANS2N5665

型号： JANS2N5665

描述：NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

替代型号JANS2N5665