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JAN2N7373概述

TO-254 NPN 80V 5A

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 5A 4W Through Hole

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin3+Tab TO-254

JAN2N7373中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 70 @2.5A, 5V

额定功率Max 4 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-254-3

外形尺寸

封装 TO-254-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N7373

型号： JAN2N7373

制造商： Microsemi 美高森美

描述：TO-254 NPN 80V 5A

替代型号JAN2N7373

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
JAN2N7373 Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
JANTXV2N7373 美高森美	完全替代	JAN2N7373和JANTXV2N7373的区别
JANTX2N7373 美高森美	完全替代	JAN2N7373和JANTX2N7373的区别
2N7373 美高森美	类似代替	JAN2N7373和2N7373的区别