PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR
Bipolar BJT Transistor NPN 150V 50A 250W Through Hole TO-3 TO-204AA
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
艾睿:
Trans GP BJT NPN 150V 50A 250000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
Verical:
Trans GP BJT NPN 150V 50A 250000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray
极性 NPN
耗散功率 250 W
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 50A
最小电流放大倍数hFE 30 @20A, 4V
额定功率Max 250 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
封装 TO-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
JANTX2N6277 Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
JAN2N6277 美高森美 | 完全替代 | JANTX2N6277和JAN2N6277的区别 |
2N6277 美高森美 | 完全替代 | JANTX2N6277和2N6277的区别 |
JANTX2N6274 美高森美 | 类似代替 | JANTX2N6277和JANTX2N6274的区别 |