JAN2N5671

JAN2N5671概述

NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 90V 30A 6W Through Hole TO-3 TO-204AA


艾睿:
Trans GP BJT NPN 90V 30A 3-Pin2+Tab TO-3


JAN2N5671中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 90 V

集电极最大允许电流 30A

最小电流放大倍数hFE 20 @15A, 2V

额定功率Max 6 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 6000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-204

外形尺寸

封装 TO-204

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N5671
型号: JAN2N5671
描述:NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号JAN2N5671
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JAN2N5671

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

2N5671

美高森美

完全替代

JAN2N5671和2N5671的区别

BD437S

安森美

功能相似

JAN2N5671和BD437S的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台