JANTXV2N5745参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N5745概述

TO-3 PNP 80V 20A

Bipolar BJT Transistor PNP 80V 20A 5W Through Hole TO-3

艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 20A 5000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray

JANTXV2N5745中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 20A

最小电流放大倍数hFE 15 @10A, 2V

额定功率Max 5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

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型号： JANTXV2N5745

描述：TO-3 PNP 80V 20A

替代型号JANTXV2N5745